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石墨烯是一种由单层碳原子排列成六边形蜂窝状结构的二维材料，被誉为“新材料之王”。它具有超强的力学强度、高度的导电导热性、优异的光电特性和柔性等特点，被广泛应用于电子、能源、医药、航空等领域，具有巨大的市场潜力和社会价值。

要想充分发挥石墨烯的优势，就需要解决一个关键问题：如何制备出大面积、高质量、与现有工艺兼容的石墨烯单晶。目前，国际上主要采用两种方法制备石墨烯单晶：一种是在金属表面外延生长，另一种是在碳化硅表面外延生长。这两种方法都有各自的优缺点，但都存在一个共同的难题：如何将生长出的石墨烯单晶从基底上转移到目标衬底上，并保持其完整性和品质。这一过程通常需要复杂的转移技术，容易引起石墨烯的损坏和污染，影响其性能和稳定性。

为了解决这一难题，中国科学院物理研究所高鸿钧院士带领团队经过多年的探索和创新，提出了一种新颖的单晶石墨烯生长技术：利用光刻技术在衬底表面打上用于石墨烯单晶晶体生长的“晶种”，随即通过调控生长技术，控制石墨烯晶体在指定位置的晶种上生长，最后形成约100 m级的单晶石墨烯晶体。这种技术不仅可以实现无损坏地将石墨烯单晶转移到任意衬底上，而且可以实现对石墨烯单晶形貌、尺寸和位置的精确控制，为构建高性能的基于单晶石墨烯的器件提供了可能。

这项技术被认为是国际上首次实现了在非金属基底上直接生长出高质量、可控形貌和位置的单晶石墨烯，并且可以与现有工艺兼容。它不仅突破了传统方法的局限性，而且为实现大规模、低成本、高效率地制备单晶石墨烯提供了新思路。这项技术已经在国际权威望期刊《自然》上发表，并引起了国际同行的高度关注和赞誉。

这项技术的成功，不仅展示了中国在石墨烯领域的领先地位，也为中国在新材料、新能源、新信息等战略领域的发展提供了强大的支撑。石墨烯单晶技术的重大突破，将为中国打造世界级的创新型国家和科技强国奠定坚实的基础。

与此同时，这项技术也让美国等西方国家感到了巨大的压力和危机。美国一直视石墨烯为未来科技发展的关键因素，投入了大量的资金和人力进行研究和开发。然而，美国在石墨烯单晶技术方面一直没有取得突破性的进展，而中国却一举赶超，让美国急红了眼。

美国有些人甚至开始指责中国“窃取”了美国的石墨烯技术，或者“利用”了美国的科学成果。这些指责是毫无根据和道理的，只是美国人自己心虚和嫉妒的表现。事实上，中国在石墨烯领域的发展是靠自己的创新和努力实现的，是中国科学家和工程师智慧和汗水的结晶。中国从来不会偷窃或利用别人的技术，而是会与世界各国共享和合作，为人类社会的进步和福祉贡献自己的力量。

中国技术再次领先世界，石墨烯单晶技术重大突破，这是中国科技发展史上的一个里程碑，也是世界科技史上的一个奇迹。我们应该为中国感到骄傲和自豪，也应该为中国科学家和工程师感到敬佩和钦佩。我们相信，在不久的将来，中国将会在更多的领域实现更多的创新和突破，让世界见证中国技术的辉煌和伟大！